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증권가 전망보다 2조 더 벌었다…삼성전자, 2분기 ‘어닝 서프라이즈’

by admin94dz
July 5, 2024
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증권가 전망보다 2조 더 벌었다…삼성전자, 2분기 ‘어닝 서프라이즈’
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삼성전자가 올해 2분기 10조원이 넘는 영업이익을 기록하며 1분기에 이어 ‘어닝 서프라이즈’(깜짝 실적)를 이어갔다. 지난해 크게 위축됐던 메모리 반도체 시장이 되살아나면서 올해는 연간 최대 실적 기록도 갈아치울 것이라는 기대감이 커지고 있다.

삼성전자는 연결 기준 올해 2분기 영업이익이 10조 4000억원으로 지난해 동기보다 1452.24% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 5일 공시했다. 매출은 74조원으로 작년 동기 대비 23.31% 증가했다. 영업이익은 증권가 전망치였던 8조 3078억원보다 2조 1000억원가량 웃돌았다. 삼성전자 분기 영업이익이 10조원을 넘은 것은 2022년 3분기(10조 8520억원) 이후 7개 분기만으로, 이미 지난해 연간 영업이익(6조 5700억원)도 뛰어넘었다.

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샴성전자, 2분기 ‘어닝 서프라이즈’ 기록


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샴성전자, 2분기 ‘어닝 서프라이즈’ 기록

샴성전자, 2분기 ‘어닝 서프라이즈’ 기록

이날 공개한 실적은 사업 부문별 상세 실적은 공개하지 않는 ‘잠정 실적’이지만 시장에서는 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문이 회사 전체 실적을 견인한 것으로 보고 있다. 특히 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 수요 증가에 따른 평균판매단가(ASP) 상승이 2분기 실적에 반영된 것으로 보인다. 증권업계에서는 DS부문이 5조원 이상의 영업이익을 낸 것으로 보고 있다. 앞서 삼성전자는 1분기에 DS부문이 1조 9100억원의 영업이익을 내며 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자 전환에 성공했다.

반도체 사업의 경우 지난해 깊은 불황에 빠졌던 업황이 빠른 속도로 회복되고 있는 가운데 챗GPT를 비롯한 생성형 인공지능(AI) 개발 경쟁에 불이 붙으면서 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 고부가 메모리 판매가 급증하고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전체 D램과 낸드의 가격은 각각 13∼18%, 15∼20% 상승했다.

하반기에는 메모리 시장 역시 HBM이 견인할 전망이다. 트렌드포스는 “전반적인 소비자 D램 시장은 공급 과잉이 지속되고 있지만, 3대 주요 공급업체(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 HBM 생산량 압박으로 인해 가격을 인상할 의향이 분명하다”고 분석했다. 트렌드포스는 3분기 D램과 낸드 가격이 각각 8∼13%, 5∼10% 상승할 것으로 예상했다.

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지난해 5월 미국 실리콘밸리의 한 일식당에서 비공개 일정으로 만난 이재용(오른쪽) 삼성전자 회장과 젠슨 황(왼쪽) 엔비디아 최고경영자(CEO). 사와스시 페이스북

지난해 5월 미국 실리콘밸리의 한 일식당에서 비공개 일정으로 만난 이재용(오른쪽) 삼성전자 회장과 젠슨 황(왼쪽) 엔비디아 최고경영자(CEO). 사와스시 페이스북


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지난해 5월 미국 실리콘밸리의 한 일식당에서 비공개 일정으로 만난 이재용(오른쪽) 삼성전자 회장과 젠슨 황(왼쪽) 엔비디아 최고경영자(CEO). 사와스시 페이스북

지난해 5월 미국 실리콘밸리의 한 일식당에서 비공개 일정으로 만난 이재용(오른쪽) 삼성전자 회장과 젠슨 황(왼쪽) 엔비디아 최고경영자(CEO). 사와스시 페이스북

삼성전자는 메모리(D램·낸드) 시장에서는 큰 격차로 점유율 1위를 유지하고 있지만 HBM 분야는 점유율 38%로 SK하이닉스(53%)에 밀려있어 HBM 기술력 확보에 박차를 가하고 있다. DS부문은 지난 4일 ‘HBM 개발팀’을 신설하는 내용을 담은 대대적인 조직 개편을 단행했다. 신임 HBM 개발팀장은 고성능 D램 제품 설계 전문가인 손영수 부사장이 맡는 것으로 알려졌다. 신설되는 HBM 개발팀은 HBM3와 HBM3E뿐 아니라 차세대 HBM4 기술 개발에 집중할 것으로 알려졌다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 쌓아 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단을 구현하기도 했다. 현재 HBM3E 8단과 12단 제품은 엔비디아의 품질 테스트를 받고 있다.

박성국 기자

삼성전자가 올해 2분기 10조원이 넘는 영업이익을 기록하며 1분기에 이어 ‘어닝 서프라이즈’(깜짝 실적)를 이어갔다. 지난해 크게 위축됐던 메모리 반도체 시장이 되살아나면서 올해는 연간 최대 실적 기록도 갈아치울 것이라는 기대감이 커지고 있다.

삼성전자는 연결 기준 올해 2분기 영업이익이 10조 4000억원으로 지난해 동기보다 1452.24% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 5일 공시했다. 매출은 74조원으로 작년 동기 대비 23.31% 증가했다. 영업이익은 증권가 전망치였던 8조 3078억원보다 2조 1000억원가량 웃돌았다. 삼성전자 분기 영업이익이 10조원을 넘은 것은 2022년 3분기(10조 8520억원) 이후 7개 분기만으로, 이미 지난해 연간 영업이익(6조 5700억원)도 뛰어넘었다.

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샴성전자, 2분기 ‘어닝 서프라이즈’ 기록

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이날 공개한 실적은 사업 부문별 상세 실적은 공개하지 않는 ‘잠정 실적’이지만 시장에서는 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문이 회사 전체 실적을 견인한 것으로 보고 있다. 특히 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 수요 증가에 따른 평균판매단가(ASP) 상승이 2분기 실적에 반영된 것으로 보인다. 증권업계에서는 DS부문이 5조원 이상의 영업이익을 낸 것으로 보고 있다. 앞서 삼성전자는 1분기에 DS부문이 1조 9100억원의 영업이익을 내며 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자 전환에 성공했다.

반도체 사업의 경우 지난해 깊은 불황에 빠졌던 업황이 빠른 속도로 회복되고 있는 가운데 챗GPT를 비롯한 생성형 인공지능(AI) 개발 경쟁에 불이 붙으면서 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 고부가 메모리 판매가 급증하고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전체 D램과 낸드의 가격은 각각 13∼18%, 15∼20% 상승했다.

하반기에는 메모리 시장 역시 HBM이 견인할 전망이다. 트렌드포스는 “전반적인 소비자 D램 시장은 공급 과잉이 지속되고 있지만, 3대 주요 공급업체(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 HBM 생산량 압박으로 인해 가격을 인상할 의향이 분명하다”고 분석했다. 트렌드포스는 3분기 D램과 낸드 가격이 각각 8∼13%, 5∼10% 상승할 것으로 예상했다.

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지난해 5월 미국 실리콘밸리의 한 일식당에서 비공개 일정으로 만난 이재용(오른쪽) 삼성전자 회장과 젠슨 황(왼쪽) 엔비디아 최고경영자(CEO). 사와스시 페이스북

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삼성전자는 메모리(D램·낸드) 시장에서는 큰 격차로 점유율 1위를 유지하고 있지만 HBM 분야는 점유율 38%로 SK하이닉스(53%)에 밀려있어 HBM 기술력 확보에 박차를 가하고 있다. DS부문은 지난 4일 ‘HBM 개발팀’을 신설하는 내용을 담은 대대적인 조직 개편을 단행했다. 신임 HBM 개발팀장은 고성능 D램 제품 설계 전문가인 손영수 부사장이 맡는 것으로 알려졌다. 신설되는 HBM 개발팀은 HBM3와 HBM3E뿐 아니라 차세대 HBM4 기술 개발에 집중할 것으로 알려졌다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 쌓아 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단을 구현하기도 했다. 현재 HBM3E 8단과 12단 제품은 엔비디아의 품질 테스트를 받고 있다.

박성국 기자

삼성전자가 올해 2분기 10조원이 넘는 영업이익을 기록하며 1분기에 이어 ‘어닝 서프라이즈’(깜짝 실적)를 이어갔다. 지난해 크게 위축됐던 메모리 반도체 시장이 되살아나면서 올해는 연간 최대 실적 기록도 갈아치울 것이라는 기대감이 커지고 있다.

삼성전자는 연결 기준 올해 2분기 영업이익이 10조 4000억원으로 지난해 동기보다 1452.24% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 5일 공시했다. 매출은 74조원으로 작년 동기 대비 23.31% 증가했다. 영업이익은 증권가 전망치였던 8조 3078억원보다 2조 1000억원가량 웃돌았다. 삼성전자 분기 영업이익이 10조원을 넘은 것은 2022년 3분기(10조 8520억원) 이후 7개 분기만으로, 이미 지난해 연간 영업이익(6조 5700억원)도 뛰어넘었다.

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이날 공개한 실적은 사업 부문별 상세 실적은 공개하지 않는 ‘잠정 실적’이지만 시장에서는 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문이 회사 전체 실적을 견인한 것으로 보고 있다. 특히 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 수요 증가에 따른 평균판매단가(ASP) 상승이 2분기 실적에 반영된 것으로 보인다. 증권업계에서는 DS부문이 5조원 이상의 영업이익을 낸 것으로 보고 있다. 앞서 삼성전자는 1분기에 DS부문이 1조 9100억원의 영업이익을 내며 2022년 4분기 이후 5분기 만에 흑자 전환에 성공했다.

반도체 사업의 경우 지난해 깊은 불황에 빠졌던 업황이 빠른 속도로 회복되고 있는 가운데 챗GPT를 비롯한 생성형 인공지능(AI) 개발 경쟁에 불이 붙으면서 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 고부가 메모리 판매가 급증하고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전체 D램과 낸드의 가격은 각각 13∼18%, 15∼20% 상승했다.

하반기에는 메모리 시장 역시 HBM이 견인할 전망이다. 트렌드포스는 “전반적인 소비자 D램 시장은 공급 과잉이 지속되고 있지만, 3대 주요 공급업체(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 HBM 생산량 압박으로 인해 가격을 인상할 의향이 분명하다”고 분석했다. 트렌드포스는 3분기 D램과 낸드 가격이 각각 8∼13%, 5∼10% 상승할 것으로 예상했다.

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삼성전자는 메모리(D램·낸드) 시장에서는 큰 격차로 점유율 1위를 유지하고 있지만 HBM 분야는 점유율 38%로 SK하이닉스(53%)에 밀려있어 HBM 기술력 확보에 박차를 가하고 있다. DS부문은 지난 4일 ‘HBM 개발팀’을 신설하는 내용을 담은 대대적인 조직 개편을 단행했다. 신임 HBM 개발팀장은 고성능 D램 제품 설계 전문가인 손영수 부사장이 맡는 것으로 알려졌다. 신설되는 HBM 개발팀은 HBM3와 HBM3E뿐 아니라 차세대 HBM4 기술 개발에 집중할 것으로 알려졌다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 쌓아 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단을 구현하기도 했다. 현재 HBM3E 8단과 12단 제품은 엔비디아의 품질 테스트를 받고 있다.

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삼성전자가 올해 2분기 10조원이 넘는 영업이익을 기록하며 1분기에 이어 ‘어닝 서프라이즈’(깜짝 실적)를 이어갔다. 지난해 크게 위축됐던 메모리 반도체 시장이 되살아나면서 올해는 연간 최대 실적 기록도 갈아치울 것이라는 기대감이 커지고 있다.

삼성전자는 연결 기준 올해 2분기 영업이익이 10조 4000억원으로 지난해 동기보다 1452.24% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 5일 공시했다. 매출은 74조원으로 작년 동기 대비 23.31% 증가했다. 영업이익은 증권가 전망치였던 8조 3078억원보다 2조 1000억원가량 웃돌았다. 삼성전자 분기 영업이익이 10조원을 넘은 것은 2022년 3분기(10조 8520억원) 이후 7개 분기만으로, 이미 지난해 연간 영업이익(6조 5700억원)도 뛰어넘었다.

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반도체 사업의 경우 지난해 깊은 불황에 빠졌던 업황이 빠른 속도로 회복되고 있는 가운데 챗GPT를 비롯한 생성형 인공지능(AI) 개발 경쟁에 불이 붙으면서 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 고부가 메모리 판매가 급증하고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전체 D램과 낸드의 가격은 각각 13∼18%, 15∼20% 상승했다.

하반기에는 메모리 시장 역시 HBM이 견인할 전망이다. 트렌드포스는 “전반적인 소비자 D램 시장은 공급 과잉이 지속되고 있지만, 3대 주요 공급업체(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 HBM 생산량 압박으로 인해 가격을 인상할 의향이 분명하다”고 분석했다. 트렌드포스는 3분기 D램과 낸드 가격이 각각 8∼13%, 5∼10% 상승할 것으로 예상했다.

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삼성전자는 메모리(D램·낸드) 시장에서는 큰 격차로 점유율 1위를 유지하고 있지만 HBM 분야는 점유율 38%로 SK하이닉스(53%)에 밀려있어 HBM 기술력 확보에 박차를 가하고 있다. DS부문은 지난 4일 ‘HBM 개발팀’을 신설하는 내용을 담은 대대적인 조직 개편을 단행했다. 신임 HBM 개발팀장은 고성능 D램 제품 설계 전문가인 손영수 부사장이 맡는 것으로 알려졌다. 신설되는 HBM 개발팀은 HBM3와 HBM3E뿐 아니라 차세대 HBM4 기술 개발에 집중할 것으로 알려졌다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 쌓아 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단을 구현하기도 했다. 현재 HBM3E 8단과 12단 제품은 엔비디아의 품질 테스트를 받고 있다.

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